Вы не вошли.
эффекта "входного тока вне петли ООС", который никто не замечал, а Douglas Self типа заметил, просто не существует.
Однако эффект увеличения КНИ при увеличении приведенного к входу R(при традиционной биполярной схемотехнике) существует, это факт.
Правда, открыт он был вовсе не Дугласом Сэлфом. Дуглас просто о нем не знал и как бы открыл заново для себя
и для Сухова
Неправильная интертрепация ентого фефекта на совести Николая конечно, но он как всегда не любит признавать свои ошибки
Никогда не бойся делать то, что ты не умеешь. Помни, ковчег был построен любителем. Профессионалы построили Титаник.
Вне форума
Liv пишет:эффекта "входного тока вне петли ООС", который никто не замечал, а Douglas Self типа заметил, просто не существует.
Однако эффект увеличения КНИ при увеличении приведенного к входу R(при традиционной биполярной схемотехнике) существует, это факт.
Правда, открыт он был вовсе не Дугласом Сэлфом. Дуглас просто о нем не знал и как бы открыл зановодля себя
и для Сухова
Неправильная интертрепация ентого фефекта на совести Николая конечно, но он как всегда не любит признавать свои ошибки
кот_Мурзик, ты самый умный. Что можно тебе еще сказать.
Вне форума
Пока с обеих сторон звучит неубедительно. Хочу - приборных доказательств
.
Саша, в 21-м веке живем. Есть же Microcap, PSpice, EWB
Вне форума
Однако эффект увеличения КНИ при увеличении приведенного к входу R(при традиционной биполярной схемотехнике) существует, это факт.
Вы правы, этот эффект существует. Возможно, в предыдущем посте я выразился не совсем ясно. Проясняю. Douglas Self утверждает, что нелинейность входной характеристики транзистора нисколько не уменьшается действием ООС. Если бы это было на самом деле так, то все УМЗЧ на биполярных транзистрах с входным напряжением порядка 1 В имели бы КНИ десятки процентов при работе с R источника порядка 10 Ком. На самом деле искажения значительно меньше, причем именно благодаря действию ООС. Утверждение, что ток базы находится вне петли ООС - совершенно безграмотное во всех отношениях. Эффект увеличения КНИ при увеличении приведенного к входу R есть, но он тем меньше, чем глубже ООС.
Иначе вообще нужно выбросить все биполярные ОУ из усилителей, из предварительных в том числе, даже такие, как AD797, а AD8099 с его входными токами - и подавно
Отредактировано Liv (12.11.2004 15:36:44)
Вне форума
Вы правы, этот эффект существует.....Утверждение, что ток базы находится вне петли ООС - совершенно безграмотное во всех отношениях.
Редкий случай, но с этим я совершенно согласен.
Эффект увеличения КНИ при увеличении приведенного к входу R есть, но он тем меньше, чем глубже ООС.
А вот с этим утверждением пожалуй не соглашусь. Скорее все с точностью до наоборот.
Проделаем маленькую лабораторную работу:
Если взять каскад с общим эмиттером, без ООС вообще, в базу последовательно с сигналом включить переменный резистор и снимать зависимость КНИ от его сопротивления, то КНИ будет плавно уменьшаться с увеличением R (выходной уровень сигнала разумеется поддерживаем постоянным) Такое происходит из-за уменьшения относительного влияния нелинейности перехода Б-Э(токовое питание, я уже об этом упоминал выше).
Совершенно другая картина наблюдается, если ввести ООС(в эмиттер) Теперь КНИ растет с увеличением R. В этом случае ИМХО природа этого эффекта -банальное уменьшение глубины ООС.
Отредактировано kot_Murzik (12.11.2004 16:19:20)
Никогда не бойся делать то, что ты не умеешь. Помни, ковчег был построен любителем. Профессионалы построили Титаник.
Вне форума
кот_Мурзик, ты самый умный. Что можно тебе еще сказать.
А кто ж в этом кроме тебя сомневается?
Шепотом: это чтож, аргумент в споре типа "сам дурак" ?
Никогда не бойся делать то, что ты не умеешь. Помни, ковчег был построен любителем. Профессионалы построили Титаник.
Вне форума
Саша, в 21-м веке живем. Есть же Microcap, PSpice, EWB
.
Тем более - результаты моделирования в студию . А то - в этой ветке полная неразбериха - каждый доказывает своё, только словесные утверждения мало что проясняют.
Саша
Вне форума
Николай Сухов пишет:Саша, в 21-м веке живем. Есть же Microcap, PSpice, EWB
.
Тем более - результаты моделирования в студию
. А то - в этой ветке полная неразбериха - каждый доказывает своё, только словесные утверждения мало что проясняют.
Ну ты наверное догадываешься, что Дуглас вполне современный и квалифицированный разработчик. Он это проверял Спайсом. А на пальцах тоже все вроде совершенно понятно. Только пъяному ежику также не понять и тот факт, что охват общей ООС входного дифкаскада действительно линеаризует весь усилок и дифкаскад, но ПО НАПРЯЖЕНИЮ. И при этом ничуть не избавляет от экспоненциальной зависимости входного тока биполярного транзистора от напряжения база-эмиттер. А именно этой зависимостью связан входногй ток с напряжением на эмиттерномм переходе левого транзистора входного дифкаскада. Кому что не понятно
Вне форума
[ Сгенерировано за 0.082 сек, 7 запросов выполнено - Использовано памяти: 626.43 Кбайт (Пик: 676.8 Кбайт) ]