Вы не вошли.
Мои приветствия, давно тут не был
Если вопрос обсуждался, заранее извиняюсь, поиском не нашёл.
Всем известно что обратное напряжение для полупроводниковых приборов превышать выше определённого порога нельзя. Происходит пробой. А что если превысить это напряжение с ограничением тока? Не допустить превышения при этом мощности на переходе могущей привести к перегреву перехода? Произойдёт ли при этом необратимая деградация параметров?
Главное, иметь желание и интерес!
Вне форума
Видимо от кристалла зависит, часто происходит, а часто и нет. Допустим, внутренний паразитный диод MOSFETa открывается при напряжении на 20..30% больше чем максимально допустимое рабочее напряжение самого транзистора. И , если ток ограничить, ничего страшного не происходит.
В древних "мурзилках" можно встретить статьи по применению диодов в качестве стабилитрона,- это оно и есть.
Вне форума
В древних "мурзилках" можно встретить статьи по применению диодов в качестве стабилитрона,- это оно и есть.
Да да да, это по теме. И транзисторы (биполярные) тоже иногда так используют. Вот в связи с этим и возник вопрос.
Главное, иметь желание и интерес!
Вне форума
[ Сгенерировано за 0.024 сек, 7 запросов выполнено - Использовано памяти: 569.16 Кбайт (Пик: 619.53 Кбайт) ]