Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

Miha · 07.08.2026 20:46:13

Jaxon пишет:

А где смещение на базу ?

I_Avals пишет:

База VT"2", в виде опоры, имеет постоянный потенциал за счёт С"7"

Как оно так, я так и не понял unknw Но это работает lol
В "" я подставил номера элементов последней схемы.
Добавлено спустя 02 мин 13 с:

Стр 51, #501

Добавлено спустя 07 мин 39 с:
Добавлю, если пытаться организовать смещение на базу VT2 , путём подключения резисторов К-Б , то это заметно влияет на чувствительность слабых сигналов, даже при номиналах мОм ! idea Эти очень слабые дальние станции просто исчезают. С кремниевыми транзисторамтюи ещё хуже, они вообще "дубовые" они и без резисторов не принимают эти микросигналы, хоть и в открытых режимах, может из-за того, что ёмкость Б-К у них выше(порядка 16 пФ) , у ГТ322 она мизерная ( 0пФ китайский прибор не определяет) Ну и сам германий с его 0,2-0,3 В смещением имеет значение, так, как они и при 0 смещением не закрываются полностью, на какомто пороге находятся, хотя это отношения к этому не имеет. unknw
П.С. Китайский прибор показывает и 1 пФ и 2пФ (КД504А), тут писали, что не может.

Отредактировано Miha (07.08.2026 21:09:09)

Miha · 07.08.2026 21:54:39

В тему, интересная микросхема УМЗЧ для карманных радиоприёмников CAKE 8002 , моща 2- 3 Вт idea

Добавлено спустя 01 мин:
Сравнение ИИ с MC43119 :
www.google.com/search?q=cake+8002+%D0%B … M8PldjrmQQ

Добавлено спустя 55 мин 43 с:
Чат GPT пишет:

смещение VT2 задаётся разностью потенциалов между базой и эмиттером, а рабочий ток определяется цепью R6 → эмиттер VT2 → коллектор → R7 и потенциалом базы.

Miha · 07.08.2026 22:55:41

Вы совершенно правы — C7 я в предыдущем объяснении фактически пропустил. И это важная деталь схемы.
На вашей схеме C7 = 1 мкФ стоит последовательно между коллектором VT1 и базой VT2. Поэтому он играет ключевую роль именно в разделении постоянного и переменного режимов:
по постоянному току C7 разомкнут → постоянное напряжение от VT1 на базу VT2 через C7 не проходит;
по переменному току C7 проводит → сигнал с VT1 поступает на базу VT2;
постоянный потенциал базы VT2 поэтому устанавливается не VT1, а цепью R2–R5.
На схеме я бы выделил это так:
Постоянный режим VT2:
А C7 в этом контуре не участвует, поскольку для постоянного напряжения он разомкнут.
Переменный сигнал:
То есть C7 накладывает переменную составляющую на уже установленное постоянное смещение базы.
Есть ещё одна важная вещь: если R2 действительно 430 Ом, а R5 2,2 кОм, то при питании 9 В получается довольно большой ток через делитель:
А напряжение на базе:
Для PNP ГТ322 это уже позволяет оценить рабочую точку вместе с падением на R6.
Но здесь я хочу обратить внимание на один момент: на фотографии соединение C7 и R2/R5 читается не идеально. Если хотите получить точный расчёт режима VT2, лучше следующим сообщением я разберу именно участок VT1–C7–VT2–R2–R5–R6–R7 по вашей фотографии, без предположений, и составлю эквивалентную схему по постоянному и переменному току отдельно.

Добавлено спустя 06 мин 33 с:

Да, теперь вижу ошибку. Вы правы — я неверно прочитал соединения на фотографии. Спасибо, что поправили.
Правильная структура каскада у вас такая:
VT1 — полевой транзистор.
VT2 и следующий ГТ322 образуют составной транзистор по схеме Дарлингтона.
R2 и R5 относятся к истоковой цепи VT1, а не являются делителем смещения базы VT2.
C7 — разделительный конденсатор, через который переменный сигнал с VT1 поступает на вход составного каскада.
Следовательно, моё предыдущее объяснение, где я сделал из R2–R5 делитель базы VT2, было неправильным.
Что это меняет в вопросе о смещении VT2
Здесь ключевой момент — VT2 не получает своё постоянное смещение через C7. C7 разделяет каскады по постоянному току.
Для постоянной составляющей:
Поэтому рабочая точка составного каскада ГТ322 задаётся его собственной цепью постоянного тока, а C7 только передаёт переменный сигнал.
И ещё важнее: поскольку VT2 и второй ГТ322 включены по Дарлингтону, напряжение между входом составного каскада и его общим эмиттером определяется уже двумя переходами база–эмиттер:
Для германиевых ГТ322 это ориентировочно порядка 0,4–0,6 В, а не 0,2–0,3 В одного транзистора.
Поэтому я предлагаю заново разобрать именно участок VT1 → C7 → VT2+ГТ322 → R6/R7, уже строго по вашей реальной схеме. Там есть интересный момент: нужно определить, каким именно образом создаётся постоянное смещение базы первого ГТ322 в Дарлингтоне, и вот здесь C7 действительно очень важен для понимания работы каскада, хотя сам напряжение смещения не задаёт.
Если хотите, я могу прямо сейчас пошагово восстановить постоянный токовый контур по вашей фотографии, начиная от +9 В и заканчивая землёй, и показать, какие элементы фактически устанавливают рабочую точку Дарлингтона.

Добавлено спустя 12 мин 37 с:

Самое существенное
Если вы подтверждаете, что:
C7 → база VT2,
а база VT2 больше никуда по постоянному току не подключена,
то схема в таком виде не имеет нормального фиксированного базового смещения VT2. Транзистор может оказаться в режиме, определяемом обратными токами и переходными процессами, что для нормального усилительного каскада выглядит подозрительно.

Добавлено спустя 18 мин 44 с:

Поэтому правильный вопрос сейчас такой:
Если C7 по постоянному току разомкнут, каким путём база VT2 получает начальный постоянный потенциал?
Если такого пути действительно нет, то VT2 в состоянии покоя практически закрыт, а схема работает как усилитель с отсечкой/переключением, и C7 подаёт на него сигнал относительно этого нулевого состояния.
Если же база VT2 каким-либо образом связана с эмиттером/коллектором VT1 или другой точкой постоянного режима, тогда это и есть источник его смещения.
Именно это соединение я предлагаю сейчас найти на вашей фотографии — оно решит весь вопрос о режиме VT2

Добавлено спустя 20 мин 51 с:
Т.е. тот факт, что германиевые транзисторы приоткрыты и при смещении 0 , имеет место быть! idea Но тогда, лучше одиночный транзистор поставить, чтобы ещё уменьшить напряжение управления.

Добавлено спустя 22 мин 14 с:

У вас VT2 + VT3 — Дарлингтон из двух ГТ322.
Поэтому для открытия пары требуется:
Для германиевых транзисторов это может быть существенно меньше, чем у кремниевого Дарлингтона, но всё равно существует порог.
Поэтому при отсутствии начального смещения:
сигнал через C7 → база VT2 → VT2 начинает открываться только при достижении определённой амплитуды → VT3 усиливает этот ток → на выходе появляются импульсы тока.
Это уже не нормальный малосигнальный линейный усилитель.

Miha · 08.08.2026 00:27:14

правда что германиевый транзистор полностью не закрыт при смещении 0 даже дарлингто? Rezumat generat de AIДа, это правда, германиевый биполярный транзистор при нулевом смещении на базе (\(U_{бэ} = 0\)) не закрывается полностью и через него продолжает течь заметный остаточный коллекторный ток.Причины явленияОбратный ток утечки (\(I_{kbo} / I_{ceo}\)): Из-за физических свойств германия ширина запрещенной зоны у него меньше, чем у кремния (0.66 эВ против 1.12 эВ). При нулевом или даже небольшом отрицательном смещении на переходе база-эмиттер тепловая генерация создает большое количество неосновных носителей заряда.Усиление утечки: Начальный ток утечки коллектор-база умножается на коэффициент усиления транзистора (\(h_{21э}\)), превращаясь в существенный сквозной ток коллектор-эмиттер (\(I_{ceo} \approx (h_{21э} + 1) \cdot I_{kbo}\)), который может составлять от микроампер до миллиампер в зависимости от мощности транзистора и температуры.Влияние схемы Дарлингтона: Составной транзистор (схема Дарлингтона) не спасает от этой проблемы, а делает её выраженнее. Первый транзистор усиливает свой собственный тепловой ток утечки и передает его в базу второго транзистора, который умножает этот ток на свой коэффициент усиления (\(h_{21э1} \cdot h_{21э2}\)). В итоге суммарный ток утечки составного германиевого транзистора оказывается огромным, и закрыть его «в ноль» простым замыканием базы с эмиттером невозможно.

Добавлено спустя 58 мин 57 с:

Да, это правда, германиевый биполярный транзистор может открываться и работать при напряжении база-эмиттер ниже 0.1 В (вплоть до нескольких десятков милливольт), если через него течет очень малый ток.Почему это возможноПадение напряжения на переходе: У кремниевых транзисторов напряжение открывания \(V_{BE}\) составляет около 0.6–0.7 В, а у германиевых оно в среднем равно 0.2–0.3 В.Зависимость от тока: Пороговое напряжение не является жесткой константой. По мере уменьшения тока базы до микроамперных значений прямое падение напряжения на германиевом \(p-n\)-переходе падает ниже 0.1 В (до 0.05–0.08 В и менее).Практика: В радиолюбительских схемах (например, в маломощных генераторах или детекторах) германиевые транзисторы способны фиксировать и усиливать сигналы с амплитудой в десятки милливольт

Miha · 08.08.2026 01:39:35

Отсутствие полной отсечки: Из-за этого тока утечки транзистор физически не может полностью «закрыться» в ноль, как идеальный ключ — через него всё равно протекает остаточный ток.Управление при нуле: Поскольку переходы германиевого диода/транзистора очень чувствительны (напряжение открытия составляет всего около 0.1–0.2 В против 0.6–0.7 В у кремния), малейшие изменения или даже сам этот фоновый ток позволяют схеме реагировать на сигнал, создавая иллюзию управления без внешнего смещения. При нагреве этот эффект усиливается многократно

Добавлено спустя 02 мин 03 с:

Да, германиевый биполярный транзистор действительно может открываться и подавать признаки работы при напряжениях база-эмиттер ниже 0.1 В (даֵже около 0.04–0.2 В), в то время как кремниевому для полноценного открытия требуется не менее 0.5–0.7 В.ГерманийПороговое напряжение (\(V_{BE}\)): Составляет примерно 0.2 – 0.3 В при нормальном токе, но в микротоковых режимах или схемах без смещения (например, в простейших генераторах) германиевый транзистор начинает проводить ток при падении напряжения на переходе всего в 0.04 – 0.1 В.Особенность: Из-за малой ширины запрещенной зоны германия барьер для носителей заряда ниже, поэтому такие приборы исторически использовали в низковольтных устройствах. Однако при нагреве у них резко растут токи утечки.КремнийПороговое напряжение (\(V_{BE}\)): Начинается с 0.5 – 0.6 В, а стабильное насыщение и стандартный режим работы достигаются при 0.65 – 0.7 В.Особенность: При напряжении ниже 0.4 В стандартный кремниевый биполярный транзистор находится в глубоком отсечке (закрыт) и не работает. Исключением являются специальные полевые транзисторы с ультранизким порогом или схемы на туннельных эффектах, но классический кремний «физически не может» открыться от десятков милливольт.

Добавлено спустя 03 мин 52 с:
Короче разобрался lol

Добавлено спустя 46 мин 17 с:
Ну, а дальше такое мне расписал, я просто чуть со стула не упал, видимо он хорошо подумал перед моим следующим вопросом. Я только выложу пару цитат из огромного разложения по полочкам aaa

Добавлено спустя 49 мин 40 с:

Да. И здесь как раз становится понятна логика вашей схемы с германиевыми ГТ322.
Но сначала важная поправка к моему последнему сообщению: не стоит называть ток через обратносмещённый переход ГТ322 обычным током усиления. Рабочий ток составного транзистора может возникать из-за обратных токов утечки и их усиления транзисторной структурой, но конкретная рабочая точка зависит от схемы, температуры и разброса параметров ГТ322.
1. Что происходит с одним ГТ322
Для PNP-транзистора условно:
Э
│
│
┌┴┐
Б ────┤ │
└┬┘
│
К
При обычной работе база должна быть немного отрицательнее эмиттера:
\[
U_{БЭ}<0.
\]
Для германия величина этого напряжения значительно меньше, чем у кремния. Поэтому область около
\[
U_{БЭ}=0
\]
для ГТ322 уже может соответствовать не пренебрежимо малому току.

---
2. Что особенно интересно в Дарлингтоне
Пусть первый транзистор пары — \(Q_1\), второй — \(Q_2\).
Соединение:
Q1 Q2
┌────────┐ ┌────────┐
Б ──────►│ Q1 │ │ Q2 │
│ │ │ │
└───┬────┘ └───┬────┘
│ Э │ Э
└─────── Б ─────────┘
Q2
Коллекторы Q1 и Q2 объединены.
Входной ток базы первого транзистора становится током базы второго.
Если коэффициенты усиления:
\[
\beta_1,\qquad \beta_2,
\]
то приблизительно:
\[
\beta_{\Sigma}\approx\beta_1\beta_2.
\]
Например, совершенно условно, если каждый ГТ322 имеет \(\beta=30\):
\[
\beta_{\Sigma}\approx30\cdot30=900.
\]
То есть очень небольшой ток первого транзистора может создать уже заметный ток второго.

---
3. А откуда берётся этот первоначальный ток?
Вот здесь германий принципиально интересен.
У реального ГТ322 существует обратный ток коллекторного перехода. Он зависит от температуры и конкретного экземпляра.
Этот ток создаёт небольшое изменение потенциалов в цепях сопротивлений.
Например, если через сопротивление \(R\) начинает течь небольшой ток:
\[
U_R=I R.
\]
Даже микротоки при достаточно больших сопротивлениях создают уже измеримое напряжение.
Это напряжение изменяет \(U_{БЭ}\), а изменение \(U_{БЭ}\) изменяет ток первого транзистора.
Получается цепочка:
обратный ток ГТ322
↓
падение напряжения на R
↓
изменение UБЭ
↓
изменение тока Q1
↓
усиление Q2
↓
изменение общего тока Дарлингтона
↓
новое падение напряжения на R
↺
То есть возникает самоустановка рабочей точки.

---
4. Именно поэтому ваша схема интереснее обычного усилителя
В кремниевой схеме я бы ожидал явно заданное смещение:
+питание
│
R
│
├── база
│
R
│
GND
А у вас с германиевыми ГТ322 может использоваться совсем другой подход: рабочая точка определяется не только внешним источником смещения, но и собственными токами транзисторов + сопротивлениями нагрузки.
Это особенно характерно для старой германиевой аппаратуры.

---
5. Почему температура здесь чрезвычайно важна
И вот здесь появляется известная особенность германия.
Обратные токи германиевых транзисторов сильно зависят от температуры.
Поэтому условно:
температура ↑
↓
обратный ток ↑
↓
ток Дарлингтона ↑
↓
падение напряжения на R ↑
↓
UБЭ изменяется
В зависимости от конкретной полярности включения это может дать положительную температурную обратную связь.
То есть:
\[
T\uparrow \Rightarrow I\uparrow \Rightarrow P\uparrow
\Rightarrow T\uparrow.
\]
Это и есть причина, почему германиевые каскады значительно сильнее подвержены тепловому разбегу.

---
6. Но есть очень важная тонкость именно для вашей схемы
Мы сейчас не должны автоматически говорить:
> «VT2 работает только за счёт обратного тока».

Это было бы таким же упрощением, как и мой первоначальный вариант.
У вас есть C7, и он передаёт переменный сигнал:
\[
u_{\text{истока VT1}}
\rightarrow C7
\rightarrow B(VT2).
\]
По постоянному току:
\[
C7\rightarrow\infty
\]
(разрыв).
По переменному:
\[
C7\rightarrow 0
\]
(условно короткое замыкание на рабочих частотах).
Поэтому VT2 может иметь очень необычную рабочую точку около нулевого смещения, а C7 затем раскачивает эту точку переменным сигналом.

---
7. И вот здесь появляется смысл германия
У кремниевого транзистора около нулевого \(U_{БЭ}\) обычно очень трудно получить нормальный линейный ток.
У германиевого ГТ322 переход значительно «мягче».
Поэтому можно представить рабочую точку примерно так:
I
│
│ /
│ /
│ /
│ /
│___●──────── UБЭ
↑
рабочая точка
около 0 В
То есть транзистор может находиться не в классическом режиме «0,7 В и открыт», который мы привыкли представлять для кремния.

---
8. А теперь самое интересное — два составных транзистора
В вашей схеме:
VT2
┌─────────────┐
C7 ──►│ Дарлингтон │
└──────┬──────┘
│
C10
│
▼
┌─────────────┐
│ Дарлингтон │
│ VT3 │
└─────────────┘
То есть VT2 и VT3 — два отдельных составных усилительных элемента.
C7 связывает первый каскад со вторым по переменному току.
C10 связывает VT2 с VT3.
А постоянные режимы каскадов при этом могут быть установлены независимо.

---
9. Поэтому ваша мысль была очень важной
Когда вы сказали:
> «это же германиевый транзистор, он работает и при смещении 0 и даже минус»

— в контексте этой старой схемы вы смотрите именно в правильную сторону.
Только технически точнее сказать:
> ГТ322 может иметь заметный ток при \(U_{БЭ}\), близком к нулю, вследствие особенностей германиевого p-n-перехода и больших обратных токов; это позволяет реализовать рабочую точку, существенно отличающуюся от привычной кремниевой схемы с \(U_{БЭ}\approx0,6–0,7\) В.

А если два таких транзистора объединены в Дарлингтон, эффект становится ещё заметнее.

---
И самое главное для вашей конкретной схемы
Я бы не стал дальше угадывать рабочую точку только по номиналам. Чтобы действительно доказать, как она устанавливается в вашем усилителе, нужно построить эквивалентную схему именно по постоянному току и пройти её от +9 В → R6/R7 → VT2 (оба ГТ322) → землю, а затем отдельно сделать то же для VT3.
Тогда мы сможем получить не просто качественное объяснение, а ответ вида:
\[
\boxed{I_{VT2}\approx\ldots\text{ мА}}
\]
\[
\boxed{U_{БЭ}\approx\ldots\text{ В}}
\]
и увидеть, за счёт какого именно сопротивления и какого обратного тока формируется рабочая точка.

Отредактировано Miha (08.08.2026 02:26:16)

Miha · 08.08.2026 02:51:44

Всё, я подсел yikes
Вот это наблюдение, на мой взгляд, гораздо интереснее самого вопроса о том, где именно стоит рабочая точка.

Если добавление даже 1–2 МОм между коллектором и базой заметно ухудшает чувствительность УРЧ, я бы предположил, что ваша схема использует очень тонкий баланс постоянного режима и ВЧ-обратной связи, а внешний резистор этот баланс разрушает.

Почему так может происходить

Для ВЧ-каскада на СВ важна не только величина постоянного тока коллектора. Важны одновременно:

крутизна транзистора;

входное сопротивление;

ёмкости \(C_{БЭ}\) и \(C_{БК}\);

обратная связь через \(C_{БК}\);

нагрузка предыдущего каскада;

собственные шумы;

и, особенно для германия, обратные токи переходов.

У вашего Дарлингтона из ГТ322 ситуация ещё интереснее: два транзистора превращают очень маленькие изменения первого транзистора в существенно большее изменение тока второго.

---

А резистор «коллектор–база» делает сразу несколько вещей

Допустим, вы ставите:

\[
R_{КБ}=2\,\text{МОм}.
\]

На первый взгляд кажется: «2 МОм — огромное сопротивление, значит, на ВЧ он почти ничего не должен изменить».

Но это неверно.

По постоянному току он начинает принудительно задавать базовый потенциал:

\[
I_{КБ}\approx\frac{U_K-U_B}{R_{КБ}}.
\]

А в вашем случае токи могут быть настолько малы, что эти микроамперы уже сопоставимы с током, определяющим рабочую точку.

То есть резистор в 2 МОм может оказаться не «маленькой поправкой», а серьёзным вмешательством в режим.

---

Но есть ещё более важная вещь — ВЧ

На СВ:

\[
f\approx0{,}5-1{,}6\text{ МГц}.
\]

У резистора 2 МОм есть паразитная ёмкость монтажа. И кроме того, сам транзистор имеет обратную ёмкость.

Получается, что вы фактически добавляете цепь коллектор → база, то есть дополнительную обратную связь.

А у транзистора она уже существует естественным образом через \(C_{КБ}\).

Получается примерно:

┌──────── Cкб ────────┐
│ │
К ────┤ ├── Б
│ │
└──────── Rкб ────────┘

И вы изменяете не только DC-режим, но и фазу и величину обратной связи.

Для чувствительного УРЧ это может оказаться критичным.

---

А теперь самое интересное в вашем наблюдении

Вы говорите, что лучший результат получился вообще без попытки искусственно установить рабочую точку.

Я бы пока не считал это случайностью.

Вполне возможно, что разработчик этой схемы намеренно использовал германиевый транзистор в области очень малого тока, где:

\[
U_{БЭ}\approx0
\]

и рабочая точка определяется естественными токами ГТ322, сопротивлениями цепи и ВЧ-режимом самого каскада.

А попытка сделать «правильное» смещение по классической методике:

> «давайте поставим резистор К–Б и установим ток коллектора»

— ломает именно тот режим, ради которого выбран германий.

Это очень похоже на то, что вы наблюдаете экспериментально.

И я бы пошёл дальше именно от этого факта

Не пытаться сейчас сделать VT2 «правильным» по учебнику, а выяснить:

почему именно этот странный, практически не смещённый режим даёт максимум чувствительности на СВ.

Для этого нам особенно интересны три вещи:

1. ток покоя VT2, каким бы он ни оказался;

2. амплитуда ВЧ на базе и коллекторе;

3. изменение чувствительности при искусственном изменении этого тока.

И последнее можно исследовать без подключения измерительного прибора непосредственно к базе — например, менять режим очень большими сопротивлениями и смотреть только на чувствительность/выход.

Мне кажется, мы здесь можем докопаться до довольно красивого физического объяснения, почему именно германиевый Дарлингтон без привычного смещения оказался лучшим УРЧ.

Добавлено спустя 53 мин 59 с:

Да, теперь понял точно. Я раньше смешал два разных детектора.
У тебя получается два совершенно независимых детекторных процесса в одном Дарлингтоне:
1. Верхний — рабочий АМ-детектор Полякова
два кремниевых диода между коллектором и базой;
они задают предварительное смещение базы примерно на +1…1,2 В относительно коллектора;
ВЧ на коллекторе управляет током базы полуволнами;
на выходе этого каскада снимается НЧ-огибающая.

2. Нижний — отдельный детектор АРУ
снимается с эмиттера;
обычный двухполупериодный/удваивающий детектор напряжения;
два кремниевых диода;
его задача не демодуляция звука, а получение отрицательного управляющего напряжения АРУ;
кремниевые диоды здесь специально дают некоторый порог, чтобы АРУ не начинала портить чувствительность на слабых станциях.

И вот в таком варианте Дарлингтон действительно очень логичен.
Особенно интересно, что верхний детектор Полякова работает фактически на управлении базовым током, а не требует пропускать весь ВЧ-сигнал через обычный детекторный p-n-переход. Поэтому второй ГТ322 даёт тебе большой коэффициент усиления по току, а предыдущий каскад видит гораздо более лёгкую нагрузку.
Что касается твоих 12 кОм + 12 кОм
Теперь я бы тем более не стал сразу уменьшать номиналы.
Rэ = 12 кОм определяет ток Дарлингтона, а Rк = 12 кОм задаёт его коллекторный режим и одновременно преобразует изменения коллекторного тока в ВЧ-напряжение. А именно это ВЧ-напряжение тебе нужно для работы верхнего детектора Полякова.
Если уменьшить Rк, ты можешь получить больший ток и больший запас по сигналу, но при этом уменьшишь преобразование:
изменение тока → изменение напряжения на коллекторе.
Для слабого сигнала это может оказаться хуже, даже если транзистор станет работать «мощнее».
А Rэ уменьшать ещё опаснее: вырастет ток, изменится режим обоих ГТ322 и изменится амплитуда ВЧ на коллекторе.
Так что в твоей схеме я бы сначала оставил 12 кОм / 12 кОм и оптимизировал именно режим Дарлингтона, а не стремился уменьшить сопротивления.
И ещё одна интересная вещь: то, что ты поставил два кремниевых диода в верхнем детекторе, хотя для германиевого варианта мог бы хватить одного, вполне имеет смысл именно с Дарлингтоном. Это задаёт нужное смещение и положение рабочей точки нелинейного детектора. Тут уже количество диодов нельзя оценивать просто по их «падению напряжения».
Если хочешь, можем разобрать по полуволнам именно верхний детектор Полякова — почему при твоих двух диодах положительная и отрицательная полуволны по-разному управляют базовым током и откуда физически появляется НЧ на выходе. Это как раз самое интересное место твоей схемы.

Добавлено спустя 54 мин 32 с:

Да. Разберём именно верхний детектор Полякова в твоём исполнении с Дарлингтоном из двух ГТ322. Здесь главное понять, что он работает не как обычный диодный детектор.
1. Исходное состояние
У тебя между коллектором и базой стоят два кремниевых диода последовательно. Они создают примерно +1…1,2 В смещения базы относительно коллектора.
Упрощённо:
коллектор → два Si-диода → база Дарлингтона
При этом база уже находится в определённом положении относительно коллектора, а ток базы задаётся этим напряжением.
Дарлингтон усиливает изменение базового тока примерно в β-раз.

---
2. Приходит ВЧ с АМ
Пусть на коллекторе появляется:
ВЧ несущая × огибающая AM.
Когда приходит одна полуволна ВЧ, напряжение между коллектором и базой изменяется.
Если эта полуволна усиливает прямое направление цепочки диодов, через диоды начинает течь больший ток.
Этот ток изменяет ток базы Дарлингтона.
А поскольку:
\[
I_E \approx \beta I_B
\]
даже небольшое изменение базового тока вызывает заметное изменение эмиттерного/коллекторного тока.
И вот здесь появляется главное преимущество схемы Полякова:
> Диоды управляют током транзистора, а транзистор своим большим коэффициентом усиления превращает это маленькое изменение в гораздо более заметное изменение тока/напряжения.

---
3. Что происходит с противоположной полуволной
На противоположной полуволне направление изменения напряжения между коллектором и базой другое.
Цепочка из двух диодов уже не проводит так же, как на первой полуволне.
Получается асимметрия токов.
А асимметрия + нелинейность транзистора = детектирование.
После фильтрации ВЧ остаётся медленно меняющаяся составляющая, соответствующая огибающей AM.
То есть:
ВЧ → изменение тока базы → большое изменение тока Дарлингтона → выделение огибающей → НЧ.

---
4. Почему два диода здесь не обязательно плохо
Вот тут твоя мысль про германий очень интересна.
Если бы это был обычный германиевый транзистор и нужен был небольшой управляющий ток, одного диода могло бы хватить.
Но у тебя два кремниевых диода задают более высокое смещение. Это позволяет выбрать такую область работы, где изменение ВЧ напряжения приводит к нужному изменению базового тока.
То есть их задача не просто «пропустить сигнал после порога».
Они фактически являются элементом задания рабочей точки нелинейного детектора.

---
5. А Дарлингтон здесь даёт очень интересный эффект
Именно поэтому твоя замена одного транзистора на пару ГТ322 может оказаться удачной.
Представим, что диодная цепь создаёт изменение базового тока всего на условные 1 мкА.
Для одиночного транзистора при β = 50:
\[
\Delta I_C \approx 50\ \mu A
\]
А если эффективный β Дарлингтона, например, 1000:
\[
\Delta I_C \approx 1\ mA
\]
Цифры здесь условные, но физика именно такая.
И эти изменения тока проходят через твои 12 кОм коллектора, превращаясь в значительно большее изменение напряжения.
Поэтому Дарлингтон может дать тебе очень чувствительный активный детектор.

---
6. И вот здесь становится понятно, почему я бы не спешил уменьшать 12 кОм
Для этого конкретного детектора:
12 кОм коллектора — это преобразователь тока в напряжение.
Чем больше Rк, тем больше изменение коллекторного напряжения при том же изменении тока:
\[
\Delta U_C=\Delta I_C R_C
\]
genui{"physics_electricity_magnetism":{"type_id":"OHMS_LAW","locale_override":"ru-RU"}}Поэтому уменьшив, например, 12 кОм до 5,6 кОм, ты можешь получить более мощный по току транзистор, но меньшее напряжение ВЧ на коллекторе.
А верхнему детектору Полякова нужно именно изменение напряжения между коллектором и базой.
Поэтому для чувствительности 12 кОм вполне может оказаться лучше.

---
И самое интересное в твоей конструкции — нижний детектор АРУ с эмиттера практически не мешает этому процессу, если его вход достаточно высокоомный. Он просто использует тот же ВЧ/АМ-сигнал в другой точке.
Получается очень красивая архитектура:
ВЧ → Дарлингтон →
коллектор → активный детектор Полякова → НЧ
эмиттер → удвоитель → отрицательное АРУ

То есть один и тот же транзистор одновременно работает как активный детектор и источник сигнала для АРУ.
И именно поэтому я бы сейчас скорее занимался оптимизацией смещения двух диодов коллектор–база, чем уменьшением 12 кОм. Там, вероятно, находится главный резерв чувствительности твоего каскада.

Jaxon · 08.08.2026 05:48:30

Миха рандомно собрал схему, как мартышка написала "войну и мир", а потом просит ИИ рассказать, прчему работает lol
Новое в конструировании download

vlnik · 08.08.2026 06:29:21

У меня бывает хуже..наоборот всё. Все правильно слелал, собрал, а потом пытаюсь понять, почему не работает. yikes

I_Avals · 08.08.2026 10:00:51

Miha пишет:

специальный полевой транзистор для микрофонных усилителей

Ну, да. Специальный. 30 nV/Hz^(1/2) против 0.95 nV/Hz^(1/2). Разница заметна хоть на слух, хоть на глаз. Небось, ещё и ноги золотые.

Miha пишет:

ГТ322 тоже специальный, малошумящий

Сильно подозреваю, что за 60+ лет, с момента разработки ГТ322, понятия специальный и малошумящий сильно изменились.

Здорово, конечно, что Вы так увлечены процессом. Только за пол века после гениальных публикаций Полякова, само понятие "простой приёмник для школьного кружка" несколько видоизменилось. Есть, к примеру, проект uSDX, на Arduino Nano + 3 внешних корпуса. На ДВ - СВ - КВ принимает все виды модуляции + декодирует морзянку. Куча роликов на Ютубе позволяет понять достижимое качество приёма, даже не собирая. А сам проект - бесконечное поле для доработок, как аппаратных, так и программных.

Как по мне, если просто попаять, для медитации, Ваш путь, самое оно. Но если ещё интересно послушать эфир, особенно вне вещательных и любительских диапазонов, то стоит подрасти.

Вы упорно хотите хоть что то принять на СВ. У меня тоже есть "сакральная частота" - 2.130 МГц. Несмотря на то, что про неё всё известно и она вполне жива, принять на ней передачу та ещё задача.

Jaxon пишет:

просит ИИ рассказать, прчему работает

Если ChatGPT, не тратьте время. Замучаетесь проверять ошибки в ответах, что само по себе требует серьёзных знаний. А постоянные "извините, ошибся" и "теперь понял", после ваших уточнений, делают непонятным, кто кому объясняет. Генератор словесного поноса абсолютно уверенным тоном.

Miha · 08.08.2026 11:38:11

I_Avals пишет:

Если ChatGPT, не тратьте время

Ну, почему, всё грамотно расписал, да его нужно поправлять, сам он вначале ошибается, нужно уточнять.

Добавлено спустя 02 мин 35 с:

I_Avals пишет:

Но если ещё интересно послушать эфир, особенно вне вещательных и любительских диапазонов, то стоит подрасти.

Надо сначала "добить" начатое. Ограничивать запирательное напряжение на затворе буду параллельно напряжению АРУ ставить последовательно пару диодов или один, экспериментально.

Добавлено спустя 15 мин 02 с:

I_Avals пишет:

Небось, ещё и ноги золотые.

Не, ноги обычные, заказывал в Германии через Ebay , лазерная маркировка, всё оригинальное, не Китай.

Отредактировано Miha (08.08.2026 11:49:19)

Radiohobby Forum

Объявление

#741 07.08.2026 20:46:13

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#742 07.08.2026 21:54:39

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#743 07.08.2026 22:55:41

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#744 08.08.2026 00:27:14

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#745 08.08.2026 01:39:35

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#746 08.08.2026 02:51:44

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#747 08.08.2026 05:48:30

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#748 08.08.2026 06:29:21

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#749 08.08.2026 10:00:51

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

#750 08.08.2026 11:38:11

Re: Радиоприемник-синхродин СВ диапазона

Подвал форума