Обсуждение публикаций и конструкций

prostoRoman · 15.12.2008 03:00:20

Омельян пишет:

... Витая пара на таких частотах лучше для звука.

Можете обосновать?

И ещё... Тут чуть выше говорилось о том, где лучше распологать ёмкости фильтра питания ВК - ближе к мосту или ближе к транзисторам. Можете объяснить что и на сколько поменяется из-за такого размещения. (для определённости примем проводо короче "полметра" smile )

kae · 15.12.2008 09:36:52

prostoRoman пишет:

Омельян пишет:
... Витая пара на таких частотах лучше для звука.
Можете обосновать?

Обосновать не могу, но могу подтвердить. Звук без экрана более "открытый", как говорят аудиофилы.

vad · 15.12.2008 10:03:38

nerv пишет:

Свежую фотку выложить сейчас не могу-нет фотика,так что звиняйте.

Жалко, хотелось бы увидеть с комментариями о звучании сигнал на VT1 (об этом не устает повторять Артем)

sublimator · 15.12.2008 17:49:54

prostoRoman пишет:

И ещё... Тут чуть выше говорилось о том, где лучше распологать ёмкости фильтра питания ВК - ближе к мосту или ближе к транзисторам. Можете объяснить что и на сколько поменяется из-за такого размещения. (для определённости примем проводо короче "полметра" )

Меняются пути импульсного тока заряда ёмкостей БП, а вместе с ними наводки.
Также меняются пути импульсного тока коллекторов ВК.
Конденсаторы на ВК уменьшают импеданс источника для ВК, но в тоже время увеличивают наводки от
своих зарядных токов.Конденсаторы в БП не гоняют зарядные токи по проводам, но импеданс источника на
ВЧ растёт за счёт индуктивности проводов.Поэтому в качестве компромисса ёмкость делят на две части.

Для себя остановился на варианте транс-мост-батарея конденсаторов (рельсы-шпалы)
провод до ВК (витая пара в экране по Зуеву) низкоимпедансные 470 мкф на плате ВК.

prostoRoman · 15.12.2008 20:19:38

sublimator пишет:

Меняются пути импульсного тока заряда ёмкостей БП, а вместе с ними наводки.
Также меняются пути импульсного тока коллекторов ВК.
Конденсаторы на ВК уменьшают импеданс источника для ВК, но в тоже время увеличивают наводки от
своих зарядных токов.Конденсаторы в БП не гоняют зарядные токи по проводам, но импеданс источника на
ВЧ растёт за счёт индуктивности проводов.Поэтому в качестве компромисса ёмкость делят на две части.
Для себя остановился на варианте транс-мост-батарея конденсаторов (рельсы-шпалы)
провод до ВК (витая пара в экране по Зуеву) низкоимпедансные 470 мкф на плате ВК.

Спасибо. Это вы качественно описали. А количественно? Индуктивность полметрового куска провода с с ечением 2мм.кв. какова? думаю - порядка нескольких мкГн... Так как сопротивление нагрузки БП в лучшем 10 Ом а сколь нибудь соизмеримое сопротивление проводов (реактивное имею ввиду) мы получим лишь на частотах в Мгц... то к чему эти пляски, если можно поставить просто качественную плёночную (или какую там...) ёмкость ~ 1 мкФ между эмитереми транзисторов ВК (в УМ с каскадом ОЭ на выходе), чьё сопротивление на МГц весьма и весьма мало...
И ещё - откуда такие большие ВЧ мощьности в УМЗЧ? Я понимаю порядка милливатт (всякие мелкие искажения)... Но такие, чтоб ставить десятки электролитов чуть ли не радиатор ВК... :-\

Омельян · 15.12.2008 21:01:23

Обо всём этом всё давно написано. Нужно просто прочесть соответствующие темы. Люди советуют правильно. Соберите - послушайте сами. Мы же через это уже прошли. Поэтому и говорим как сделать лучше для звука.

nerv · 15.12.2008 21:24:30

vad пишет:

Жалко, хотелось бы увидеть с комментариями о звучании сигнал на VT1 (об этом не устает повторять Артем)

Фоток с экрана осциллографа не обещаю,а вот как проведу эксперемент,отпишусь.

prostoRoman,важна компактность протекания токов ВК и БП.Это минимизирует наводки.Сильноточные цепи
являются хорошим источником помех.Особенно важно для усилителей класса АВ и с глубокой ОООС.

pilot · 15.12.2008 22:00:03

artem, хотел задать Вам несколько вопросов:
1. В статье на стр. 59 в разделе "Методы повышения Vнар", Вы пишите
"Такая популярная мера, как подключение к узлу D резисторов R20, R21
(1.8M), ухудшает скорость нарастания УМ....а нелинейные искажения
заметно возрастают уже при сопротивлении 470 кОм"
Может быть, тогда имеет смысл уменьшить эти резисторы, например как в СЛУМ
С.Агеева до 390 кОм?
2. Уточните пожалуйста, какие номиналы цепочки ППК оптимальны для варианта более
скоростного УМ (рис 10 статьи)? хотя бы ориентировочно.
3. В статье описан очень интересный генератор (рис. 3). Уточните
пожалуйста какой для него нужен источник питания? 2х полярный +5/-5В или
однополярный 10В? и какой лучше применить стабилизатор, на фиксированное
напряжение или на регулируемое (LM317) с дополнительными конденсаторами
для лучшего подавления пульсаций?

sublimator · 16.12.2008 03:23:27

prostoRoman пишет:

10 Ом а сколь нибудь соизмеримое сопротивление проводов (реактивное имею ввиду) мы получим лишь на частотах в Мгц...

Именно на этих частотах звенит УМЗЧ с глубокой ООС при неудачном монтаже.
Для обеспечения устойчивости ООС требуется широкая полоса исходного усилителя, те же Мгц.
Чем больше Ку исходного усилителя, т.е. глубже ООС тем меньший фазовый сдвиг Uвых относительно Uвх
требуется получить. Более подробно (и количественно) - критерий Найквиста. Есть в учебниках.

prostoRoman пишет:

И ещё - откуда такие большие ВЧ мощьности в УМЗЧ? Я понимаю порядка милливатт (всякие мелкие искажения)... Но такие, чтоб ставить десятки электролитов чуть ли не радиатор ВК... :-\

Ток коллектора транзистора ВК - половина синуса. Очень даже не мелкое искажение.
Разложить в ряд Фурье и получить искомые Мгц.Ток которых нужно замкнуть по контуру минимальной площади. Поэтому и ставят низкоимпедансные эл-литы непосредственно на ногах транзисторов.

Tetragramaton · 16.12.2008 11:45:00

Чем больше Ку исходного усилителя, т.е. глубже ООС тем меньший фазовый сдвиг Uвых относительно Uвх

Наоборот... Чем выше "ку" исходного усилка, тем "ниже" первый полюс т.е самые скоростные и широкополосные усилки с ТОС имеют практически постоянную во всем диапазоне глубину ООС (около 15...30дб т.е исходное усиление около 40...60дб), но во всей полосе, первый полюс там >300кГц а нужный запас фазы (30град) для устойчивости может быть обеспечен и на частотах больше нескольких десятков мГц... Другое дело глубокоООСник устойчивый по Найквисту, (где фаза заходит за 180 град, а потом специальными коррекциями убивающими динамическую линейность и общую глубину ООС вытягивается тож на десятках мГц).....

Может быть, тогда имеет смысл уменьшить эти резисторы, например как в СЛУМ
С.Агеева до 390 кОм?

.... Это резисторы определяющие частоту второго полюса (УН).... если о них идет речь.... их номинал зависит от компромисса между широкополосностью ООС и ее глубиной, как правило этим можна частично уменьшить усиление на НЧ, но выиграть пару дб на ВЧ еще в звуковом диапазоне.... подогнать АФЧХ

Radiohobby Forum

Объявление

#331 15.12.2008 03:00:20

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#332 15.12.2008 09:36:52

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#333 15.12.2008 10:03:38

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#334 15.12.2008 17:49:54

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#335 15.12.2008 20:19:38

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#336 15.12.2008 21:01:23

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#337 15.12.2008 21:24:30

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#338 15.12.2008 22:00:03

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#339 16.12.2008 03:23:27

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

#340 16.12.2008 11:45:00

Re: УМЗЧ ВВ - 2008

Подвал форума